Mini/Micro-LED
Disruptiver Mikro-LED-Chip mit GaN-auf-Silizium-Technologie
Produktbeschreibung
Die neue Micro-LED-Display-Technologie hat breite Entwicklungsperspektiven und kann auf AR-Brillen, HUD, ADB-Autolichter, transparente Displays und andere breite Bereiche angewendet werden. Die Mikro-LED-Technologie über 8-Zoll-GaN-Siliziumsubstrat mit Silizium-CMOS-Treiberwafer kann auf ausgereifte integrierte Schaltungsausrüstung und -prozesse zurückgreifen, was den unvermeidlichen Industrialisierungsweg für die Herstellung kostengünstiger, ertragreicher Mikro-LED darstellt.
Basierend auf fast 20 Jahren Industrialisierung in der gesamten Siliziumsubstrat-LED-Kette haben wir nahezu ultraviolette, blaue, grüne und rote epitaktische Wafer auf InGaN-Basis mit Siliziumsubstrat von 4 bis 12 Zoll für Mikro-LED-Anwendungen entwickelt 365 nm bis 650 nm. Wichtige Industrialisierungsindikatoren wie Lichteffizienz, Konsistenz und Zuverlässigkeit wurden umfassend optimiert und auf dieser Grundlage erfolgreich rote, grüne und blaue Micro-LED-Mikrodisplay-Arrays entwickelt.
Das Unternehmen ist bestrebt, Kunden auf der ganzen Welt hochwertige Mikro-LED-Epitaxie-Chips und Gerätemodule mit Siliziumsubstrat bereitzustellen, um die unendlichen Anwendungsmöglichkeiten von Metaverse zu ermöglichen.
Merkmale und Vorteile
Aus der Perspektive der Industrialisierung: Verwendung der großformatigen Siliziumsubstrat-GaN-Technologie zur Herstellung von Mikro-LEDs:
1. Es bietet viele Vorteile wie große Größe, niedrige Kosten, verlustfreie Substratentfernung und IC-Prozesskompatibilität.
2. Im Vergleich zum 4-Zoll-Substrat erhöht sich die Leistung des Micro-LED-Chips pro Einheit Substratfläche bei einem 8-Zoll-Substrat um 25 %;
3. Bei Verwendung eines 8-Zoll-Siliziumsubstrats zur Herstellung von Micro-LED betragen die Stücklistenkosten jedes Anzeigemoduls nur 30 % derjenigen einer 4-Zoll-Saphirlösung (einschließlich Epitaxie, Chips und CMOS).
