Chip micro LED disruptivo con tecnología GaN sobre silicio
Descripción del Producto
La nueva tecnología de pantalla Micro LED tiene amplias perspectivas de desarrollo y se puede aplicar a gafas AR, HUD, luces de automóviles ADB, pantallas transparentes y otros campos amplios. La tecnología Micro LED por encima del sustrato de silicio GaN de 8 pulgadas con oblea de controlador CMOS de silicio puede depender de equipos y procesos de circuitos integrados maduros, que es la ruta de industrialización inevitable para la fabricación de Micro-LED de bajo costo y alto rendimiento.
Basándonos en casi 20 años de acumulación de industrialización en toda la cadena LED de sustrato de silicio, hemos desarrollado obleas epitaxiales casi ultravioleta, azules, verdes y rojas basadas en InGaN con sustrato de silicio de 4 a 12 pulgadas para aplicaciones de Micro LED, que van desde 365 nm a 650 nm. Se ha llevado a cabo una optimización integral de indicadores clave de industrialización, como la eficiencia, la consistencia y la confiabilidad de la luz, y sobre esta base, se han desarrollado con éxito matrices de micropantallas Micro-LED rojas, verdes y azules.
La empresa se compromete a proporcionar módulos de dispositivos y chips epitaxiales Micro LED con sustrato de silicio de alta calidad a clientes de todo el mundo para facilitar las infinitas aplicaciones posibles de Metaverse.
Características y ventajas
Desde la perspectiva de la industrialización, utilizando la tecnología GaN de sustrato de silicio de gran tamaño para preparar Micro LED:
Primero, tiene muchas ventajas, como gran tamaño, bajo costo, eliminación de sustrato sin pérdidas y compatibilidad con el proceso IC;
2. En comparación con el sustrato de 4 pulgadas, la salida del chip Micro LED por unidad de área de sustrato aumenta en un 25% con un sustrato de 8 pulgadas;
3. Al utilizar un sustrato de silicio de 8 pulgadas para preparar Micro LED, el costo de la lista de materiales de cada módulo de pantalla es solo el 30 % del de una solución de zafiro de 4 pulgadas (incluidos epitaxia, chips y CMOS).