Mini/Micro LED
GaN perturbateur sur puce micro LED de technologie silicium
Description du produit
La nouvelle technologie d'affichage Micro LED a de larges perspectives de développement et peut être appliquée aux lunettes AR, au HUD, aux éclairages de voiture ADB, aux écrans transparents et à d'autres domaines étendus. La technologie Micro LED au-dessus d'un substrat de silicium GaN de 8 pouces avec une plaquette de pilote CMOS en silicium peut s'appuyer sur des équipements et des processus de circuits intégrés matures, ce qui constitue la voie d'industrialisation inévitable pour la fabrication de Micro-LED à faible coût et à haut rendement.
S'appuyant sur près de 20 ans d'industrialisation dans l'ensemble de la chaîne LED à substrat de silicium, nous avons développé des plaquettes épitaxiales à base d'InGaN à substrat de silicium proche de l'ultraviolet, bleu, vert et rouge de 4 à 12 pouces pour les applications Micro LED, allant de 365 nm à 650 nm. Une optimisation globale a été réalisée sur des indicateurs clés d'industrialisation tels que l'efficacité lumineuse, la cohérence et la fiabilité, et sur cette base, des réseaux de micro-écrans Micro-LED rouges, verts et bleus ont été développés avec succès.
La société s'engage à fournir des puces épitaxiales Micro LED et des modules de dispositifs à substrat de silicium de haute qualité aux clients du monde entier afin de faciliter les applications infinies possibles de Metaverse.
Caractéristiques et avantages
Du point de vue de l'industrialisation, utilisation de la technologie GaN de substrat de silicium de grande taille pour préparer les Micro LED :
1. il présente de nombreux avantages tels qu'une grande taille, un faible coût, un retrait du substrat sans perte et une compatibilité avec les processus IC ;
2. Par rapport au substrat de 4 pouces, le rendement de la puce Micro LED par unité de surface de substrat augmente de 25 % avec un substrat de 8 pouces ;
3. En utilisant un substrat en silicium de 8 pouces pour préparer les Micro LED, le coût de nomenclature de chaque module d'affichage ne représente que 30 % de celui d'une solution saphir de 4 pouces (y compris l'épitaxie, les puces et le CMOS).
