Mini-/micro-LED
Disruptieve GaN op micro-LED-chip met siliciumtechnologie
Productomschrijving
De nieuwe micro-LED-displaytechnologie heeft brede ontwikkelingsperspectieven en kan worden toegepast op AR-brillen, HUD, ADB-autolampen, transparante displays en andere brede velden. De Micro LED-technologie boven het 8-inch siliciumsubstraat GaN met silicium CMOS-driverwafel kan vertrouwen op volwassen geïntegreerde circuitapparatuur en -processen, wat de onvermijdelijke industrialisatieroute is voor de productie van goedkope Micro-LED met hoog rendement.
Op basis van bijna 20 jaar industrialisatie-accumulatie in de gehele LED-keten van siliciumsubstraten, hebben we 4-inch tot 12-inch siliciumsubstraat InGaN-gebaseerde bijna-ultraviolette, blauwe, groene en rode epitaxiale wafers ontwikkeld voor micro-LED-toepassingen, variërend van 365 nm tot 650 nm. Er is een algehele optimalisatie uitgevoerd op belangrijke industrialisatie-indicatoren zoals lichtefficiëntie, consistentie en betrouwbaarheid, en op deze basis zijn met succes rode, groene en blauwe Micro-LED-microdisplay-arrays ontwikkeld.
Het bedrijf zet zich in voor het leveren van hoogwaardige siliciumsubstraat Micro LED epitaxiale chips en apparaatmodules aan klanten over de hele wereld om de oneindig mogelijke toepassingen van Metaverse te vergemakkelijken.
Kenmerkena en voordelen
Vanuit het perspectief van industrialisatie, met behulp van grote siliciumsubstraat GaN-technologie om Micro LED voor te bereiden:
1. het heeft vele voordelen, zoals grote afmetingen, lage kosten, verliesloze substraatverwijdering en IC-procescompatibiliteit;
2. Vergeleken met het 4-inch substraat neemt de output van de Micro LED-chip per substraatoppervlak toe met 25% met een 8-inch substraat;
3. Door gebruik te maken van een 8-inch siliciumsubstraat om Micro LED voor te bereiden, bedragen de stuklijstkosten van elke displaymodule slechts 30% van die van een 4-inch saffieroplossing (inclusief epitaxie, chips en CMOS).
