Polish
English French German Portuguese Spanish Russian Japanese Korean Arabic Turkish Italian Indonesian Polish Hindi Dutch Malay Persian Thai Vietnamese
Leave Your Message
850nm 3535 Pakiet IR LED 1W IB

Dioda podczerwieni

Kategorie produktów
Polecane produkty
Przełomowy GaN w mini chipie LED w technologii krzemowej

Przełomowy GaN w mini chipie LED w technologii krzemowej
Przełomowy GaN w chipie Micro LED w technologii krzemowej

Przełomowy GaN w chipie Micro LED w technologii krzemowej
Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si 10W LED XM2

Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si 10W LED XM2
Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si 8W LED XL2

Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si 8W LED XL2
Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si 5W LED XG2

Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si 5W LED XG2
Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si 3W LED XF2

Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si 3W LED XF2
Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si LED 1,5 W XD2

Oświetlenie kierunkowe dużej mocy GaN-on-Si LED 1,5 W XD2
Wysoka wydajność Wysoka niezawodność EMC 5050 22V 5W LED

Wysoka wydajność Wysoka niezawodność EMC 5050 22V 5W LED
Dioda LED dużej mocy z powłoką przeciwzasiarczeniową EMC 5050 9V 5W

Dioda LED dużej mocy z powłoką przeciwzasiarczeniową EMC 5050 9V 5W
Dioda LED dużej mocy z powłoką przeciwzasiarczeniową EMC 5050 6V 5W

Dioda LED dużej mocy z powłoką przeciwzasiarczeniową EMC 5050 6V 5W
0102030405
850nm 3535 Pakiet IR LED 1W IB
850nm 3535 Pakiet IR LED 1W IB

850nm 3535 Pakiet IR LED 1W IB

• Rozmiar PKG: 3,5 x 3,5 mm

• Moc: 1 W


Zalety produktu

Pakiet ceramiki o dużej mocy, wielokątowa konstrukcja optyczna

Chip diody podczerwieni o mocy 20 mil

Rozmiar: 3,5 mm x 3,5 mm

Metoda lutowania: SMT

    Skontaktuj się z nami
    Specyfikacja
    Opis
    Cechy

    Specyfikacja


    Charakterystyka elektro: (pola lutownicza T = 25 ℃)

    Numer części

    Ołowiana rama

    Szczytowa długość fali
    [nm]

    Całkowity strumień promieniowania [mW]

    Wpisz VF
    [W]

    Maks. VF
    [W]

    Kierunkowość

    Maks. Aktualny
    [mama]

    Wysokość diody

    2θ1/2

    IBP8530K-35

    3535

    850

    150 ~ 300

    1.4

    2

    20°

    250

    3,30 mm

    IBP8550K-35

    3535

    850

    150 ~ 300

    1.4

    2

    30°

    250

    3,05 mm

    IBP8584K-35

    3535

    850

    150 ~ 300

    1.4

    2

    50°①

    250

    2,60 mm

    IBP85100K-35

    3535

    850

    150 ~ 300

    1.4

    2

    50°②

    250

    2,20 mm

    IBP85120K-35

    3535

    850

    150 ~ 300

    1.4

    2

    80°

    250

    2,45 mm

    IBP85130K-35

    3535

    850

    150 ~ 300

    1.4

    2

    90°

    250

    2,25 mm

    IBP85120B-35

    3535

    850

    150 ~ 300

    1.4

    2

    120°

    250

    2,20 mm

    IBP85140K-35

    3535

    850

    150 ~ 300

    1.4

    2

    140°

    250

    1,40 mm

    Opis produktu

    Nasza najnowsza seria chipów IR o dużej mocy 20mil z technologią pakowania ceramicznego. Te zaawansowane chipy zostały specjalnie zaprojektowane z myślą o wysokiej przewodności cieplnej, aby zapewnić płynną i wydajną pracę przy dużych poziomach prądu. Dzięki unikalnej technologii pakowania ceramicznego nasze chipy IR charakteryzują się najwyższym poziomem wydajności i niezawodności w branży.

    Jedną z kluczowych cech naszych chipów IR jest ich specjalna konstrukcja optyczna, która pozwala na pełny zakres kątów emisji, w tym 20°, 30°, 40°, 80°, 90°, 120° i 160°. Ten szeroki zakres kątów emisji jest specjalnie dostosowany do spełnienia różnorodnych wymagań kątowych rynku zabezpieczeń w podczerwieni. Niezależnie od tego, czy potrzebujesz wąskiego, czy szerokiego kąta emisji, nasze chipy IR Ci to zapewnią.

    Oprócz wszechstronnych kątów emisji, nasze chipy IR wyróżniają się również wyjątkową mocą wyjściową. Dzięki konstrukcji o dużej mocy 20 mil, chipy te zapewniają imponujący poziom oświetlenia w podczerwieni, co czyni je idealnymi do szerokiego zakresu zastosowań związanych z bezpieczeństwem.

    Niezależnie od tego, czy chcesz zwiększyć wydajność swoich kamer monitorujących, czy poprawić skuteczność systemów bezpieczeństwa na podczerwień, nasze chipy IR są idealnym rozwiązaniem. Wysoka moc wyjściowa, zaawansowana technologia pakowania i szeroki zakres kątów emisji sprawiają, że są one idealnym wyborem do wszelkich zastosowań związanych z bezpieczeństwem podczerwieni.

    Podsumowując, nasza seria chipów IR o dużej mocy 20 mil z technologią opakowania ceramicznego to najlepszy wybór dla każdego, kto chce przenieść swoje systemy bezpieczeństwa na podczerwień na wyższy poziom. Dzięki wiodącej w branży wydajności, niezawodności i wszechstronności te chipy IR z pewnością przekroczą Twoje oczekiwania. Poczuj różnicę dzięki naszym zaawansowanym chipom IR i zobacz, jaki wpływ mogą one mieć na Twoje systemy bezpieczeństwa.

    Kluczowe cechy

    Podłoże ceramiczne o wysokiej przewodności cieplnej
    Duży prąd napędowy
    Unikalna konstrukcja optyczna
    Lepsze odprowadzanie ciepła i niższy opór cieplny

    Make an free consultant

    Your Name*

    Phone Number

    Country

    Remarks*

    rest