Mini/MicroLED
GaN disruptivo em chip Micro LED de tecnologia de silício
Descrição do produto
A nova tecnologia de display Micro LED tem amplas perspectivas de desenvolvimento e pode ser aplicada a óculos AR, HUD, luzes de carro ADB, displays transparentes e outros campos amplos. A tecnologia Micro LED acima do substrato de silício GaN de 8 polegadas com wafer de driver CMOS de silício pode contar com equipamentos e processos de circuito integrado maduros, que é a rota de industrialização inevitável para a fabricação de Micro-LED de baixo custo e alto rendimento.
Contando com quase 20 anos de acumulação de industrialização em toda a cadeia de LED de substrato de silício, desenvolvemos wafers epitaxiais de substrato de silício de 4 a 12 polegadas baseados em InGaN quase ultravioleta, azul, verde e vermelho para aplicações de Micro LED, variando de 365 nm a 650 nm. A otimização completa foi realizada nos principais indicadores de industrialização, como eficiência de luz, consistência e confiabilidade, e com base nisso, conjuntos de microdisplays Micro-LED vermelhos, verdes e azuis foram desenvolvidos com sucesso.
A empresa está comprometida em fornecer chips epitaxiais Micro LED de substrato de silício de alta qualidade e módulos de dispositivos para clientes em todo o mundo para facilitar as infinitas aplicações possíveis do Metaverso.
Características e vantagens
Do ponto de vista da industrialização, usando a tecnologia GaN de substrato de silício de grande porte para preparar Micro LED:
1. tem muitas vantagens, como tamanho grande, baixo custo, remoção de substrato sem perdas e compatibilidade de processo IC;
2. Comparado com o substrato de 4 polegadas, a saída do chip Micro LED por unidade de área de substrato aumenta em 25% com um substrato de 8 polegadas;
3. Usando um substrato de silício de 8 polegadas para preparar Micro LED, o custo do BOM de cada módulo de exibição é de apenas 30% do custo de uma solução de safira de 4 polegadas (incluindo epitaxia, chips e CMOS).
