Đèn LED mini/vi mô
GaN đột phá trên chip Micro LED công nghệ Silicon
Mô tả Sản phẩm
Công nghệ màn hình mới Micro LED có triển vọng phát triển rộng rãi và có thể áp dụng cho kính AR, HUD, đèn xe ADB, màn hình trong suốt và các lĩnh vực rộng lớn khác. Công nghệ Micro LED trên nền silicon 8 inch GaN với tấm điều khiển silicon CMOS có thể dựa vào các quy trình và thiết bị mạch tích hợp hoàn thiện, đây là con đường công nghiệp hóa tất yếu để sản xuất Micro-LED chi phí thấp, năng suất cao.
Dựa trên gần 20 năm tích lũy công nghiệp hóa trong toàn bộ chuỗi đèn LED nền silicon, chúng tôi đã phát triển các tấm wafer epiticular có tấm nền silicon 4 inch đến 12 inch dựa trên InGaN có tia cực tím gần, xanh lam, xanh lục và đỏ cho các ứng dụng Micro LED, từ 365nm đến 650nm. Tối ưu hóa toàn diện đã được thực hiện trên các chỉ số công nghiệp hóa quan trọng như hiệu suất ánh sáng, tính nhất quán và độ tin cậy, và trên cơ sở đó, mảng màn hình hiển thị Micro-LED màu đỏ, xanh lá cây và xanh lam đã được phát triển thành công.
Công ty cam kết cung cấp chip epiticular Micro LED chất lượng cao và mô-đun thiết bị cho khách hàng trên toàn thế giới để tạo điều kiện thuận lợi cho các ứng dụng vô hạn có thể có của Metaverse.
Tính năng và Ưu điểm
Từ góc độ công nghiệp hóa, Sử dụng công nghệ GaN nền silicon kích thước lớn để chế tạo Micro LED:
1. nó có nhiều ưu điểm như kích thước lớn, chi phí thấp, loại bỏ chất nền không tổn hao và khả năng tương thích quy trình IC;
2. So với đế 4 inch, sản lượng chip Micro LED trên một đơn vị diện tích đế tăng 25% với đế 8 inch;
3. Sử dụng đế silicon 8 inch để chuẩn bị Micro LED, giá thành BOM của mỗi mô-đun hiển thị chỉ bằng 30% so với giải pháp sapphire 4 inch (bao gồm epit Wax, chip và CMOS).
